低位错ZnSe单晶的生长

• 作者: 丁进 张力强 张旭 李卫 王坤
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnSe单晶 化学气相输运 位错密度
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 385-387
• 页数: 3页
• 分类号: O782
• 字数: 1257字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.041

摘要

采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2.对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过率超过70%,在10.6μm处的吸收系数为7.72×10-4/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张旭		2	10	2.0	2.0
2	李卫		3	43	3.0	3.0
3	张力强		3	43	3.0	3.0
4	丁进		1	5	1.0	1.0
5	王坤		1	5	1.0	1.0