Ta种子层对Ni65Co35薄膜微结构和磁性的影响

• 作者: 张辉 朱逢吾 滕蛟 王立锦
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ni65Co35 薄膜 Ta 种子层 各向异性磁电阻 织构
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 页码范围: 979-982
• 页数: 4页
• 分类号: O484.43
• 字数: 3820字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2006.09.016

摘要

用直流磁控溅射方法制备了Ta(x nm)/Ni65Co35(40 nm)双层薄膜(x=0,1,2,3,4,5 nm),研究了Ta种子层不同制备工艺条件对Ni65Co35(40 nm)薄膜的各向异性磁电阻(AMR)和矫顽力的影响;通过X射线衍射(XRD)对Ni65Co35薄膜的微结构进行了分析.结果表明,适当的Ta种子层的厚度和较高的溅射速率有利于Ni65Co35薄膜(111)织构形成,并能显著提高Ni65Co35膜薄的AMR值和磁传感元件的灵敏度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱逢吾	北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系	54	229	8.0	12.0
2	张辉	北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系	84	366	10.0	14.0
3	王立锦	北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系	25	208	9.0	14.0
4	滕蛟	北京科技大学材料科学与工程学院材料物理与化学系	37	132	6.0	9.0