硅片化学机械抛光中表面形貌问题的研究

• 作者: 潘国顺 王亮亮 路新春 雒建斌 雷红 黄义
• 来源期刊: 润滑与密封
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅片 化学机械抛光 表面形貌
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 66-68,75
• 页数: 4页
• 分类号: TG356.28
• 字数: 2730字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0150.2006.02.021

摘要

利用扫描电镜和WYKO MHT-Ⅲ型光干涉表面形貌仪研究了抛光过程中不同阶段硅片的表面形貌、抛光液研磨颗粒粒径对抛光表面质量的影响以及抛光过程中的桔皮现象.结果表明,抛光中主要是低频、大波长的表面起伏被逐渐消除,而小尺度上的粗糙度并未得到显著改善;当颗粒直径在10～25 nm的范围时,粒径和粗糙度不存在单调关系;桔皮的产生主要是抛光液中碱浓度过高所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘国顺	清华大学摩擦学国家重点实验室	27	358	12.0	18.0
2	雷红	上海大学纳米中心	22	456	10.0	21.0
3	雒建斌	清华大学摩擦学国家重点实验室	96	1802	22.0	37.0
4	路新春	清华大学摩擦学国家重点实验室	32	285	10.0	15.0
5	王亮亮	清华大学摩擦学国家重点实验室	1	19	1.0	1.0
6	黄义	深圳清华大学研究院微纳工程实验室	1	19	1.0	1.0