非晶硅薄膜的快速热退火机理研究

• 作者: 卢景霄 张宇翔 李秀瑞 杨仕娥 王生钊 郜小勇 陈永生
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜 快速热退火 固相晶化
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 1137-1140,1074
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.047

摘要

采用RTA方法对PECVD沉积的a-Si:H薄膜进行固相晶化是近年来发展起来的一种制备多晶硅薄膜的新方法.通过研究不同退火工艺条件对薄膜结构的影响,来揭示快速热退火机理.研究表明短波长光(≤730nm)的量子效应在晶化过程中可能起着至关重要的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郜小勇	郑州大学材料物理重点实验室	52	301	10.0	14.0
2	陈永生	郑州大学材料物理重点实验室	67	484	11.0	19.0
3	杨仕娥	郑州大学材料物理重点实验室	68	513	12.0	18.0
4	卢景霄	郑州大学材料物理重点实验室	100	570	12.0	17.0
5	张宇翔	郑州大学材料物理重点实验室	45	274	10.0	14.0
6	王生钊	郑州大学材料物理重点实验室	4	47	4.0	4.0
7	李秀瑞		1	20	1.0	1.0