BSIM模型的研究和最近进展

• 作者: 何进 品书 奚雪梅 宛辉 胡正明 阿里·力克纪达 陈文新
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 集约模型 BSIM5 BSIM4 BSIMSOI器件物理 MOSFET
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 388-396
• 页数: 9页
• 分类号: TN386
• 字数: 1114字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.002

摘要

CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型.基于此,美国Berkeley加州大学的BSIM团队对国际工业标准芯片仿真物理模型BSIM进行了一系列的研究和发展工作.本文分析和介绍了最近几年来本人参与其中的BSIM工程的研究和进展情况,包括BSIM5的研究,BSIM4的增强和BSIMSOI的发展.BSIM5是为满足RF和高速CMOS电路模拟要求而发展的新一代物理基础的BSIM模型,具有对称、连续和参数少的特点.BSIM4是一个成熟的工业标准仿真模型,在衬底电阻网络、隧穿电流、饱和电流原理和应力模型等方面有一系列的功能增强以支持技术进步的需求.BSIMSOI已经发展成可应用于SOI-PD和SOI-FD技术的普适模型,通过有效体电势△Vbi的改变进行器件工作模式的选择,可以帮助电路设计者实现PD和FD共存的设计趋势.