接触电极的功函数对基于碳纳米管构建的场效应管的影响

• 作者: 吴锦雷 张文静 张琦锋 李萍剑
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米管 场效应管 肖特基势垒 功函数
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5460-5465
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 5413字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.10.080

摘要

基于碳纳米管构建的场效应管在纳电子器件中占有重要的位置, 如何获得p型和n型的电子输运性能是人们所关注的. 本文分别采用高功函数的Pt金属和低功函数的Al金属作为源漏电极, 获得了p型输运性质和n型输运性质的基于碳纳米管构建的场效应管. 能带结构的分析证明了接触电极的功函数在这种场效应管的输运机理中扮演了重要的角色, 可以仅仅通过改变接触电极的材料,实现p型场效应管和n型场效应管之间的转换, 这是经典的金属与半导体接触的理论无法解释的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张琦锋	北京大学电子学系	28	186	9.0	12.0
2	吴锦雷	北京大学电子学系	48	341	12.0	16.0
3	李萍剑	北京大学电子学系	4	34	3.0	4.0
4	张文静	北京大学电子学系	19	183	8.0	13.0