一种有效去除CMP后表面吸附杂质的新方法

• 作者: 刘玉岭 周建伟 李薇薇 檀柏梅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械全局平面化 吸附 活性剂 颗粒 清洗
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 制造技术
• 页码范围: 186-188
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 2038字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.03.008

摘要

CMP后大量颗粒吸附在芯片表面,根据颗粒在芯片表面的吸附状态,确立优先吸附模型.利用特选的表面活性剂优先吸附在芯片表面可以有效控制杂质的吸附状态,使之处于易于清洗的物理吸附.实验表明,特选的非离子界面活性剂能够有效去除CMP后表面吸附的杂质,达到较好的清洗效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
3	李薇薇	河北工业大学微电子研究所	27	172	8.0	10.0
4	周建伟	河北工业大学微电子研究所	40	197	8.0	11.0