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AlN陶瓷厚膜金属化研究进展
AlN陶瓷厚膜金属化研究进展
作者:
杨德安
郑洪雷
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
电子技术
AlN
综述
金属化
厚膜
摘要:
简要论述了AlN陶瓷由于自身结构特点而导致的其厚膜金属化的困难、提出了解决的主要方法.阐述了AlN陶瓷厚膜金属化的三种主要结合剂(玻璃结合系;反应结合系;混合结合系)的结合机理,综述了三种主要结合剂以及AlN陶瓷厚膜金属化用金属体系的研究现状及最新进展.
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文献信息
篇名
AlN陶瓷厚膜金属化研究进展
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
电子技术
AlN
综述
金属化
厚膜
年,卷(期)
2006,(12)
所属期刊栏目
综述
研究方向
页码范围
5-7
页数
3页
分类号
TQ174
字数
3682字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-2028.2006.12.002
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨德安
天津大学材料科学与工程学院
37
343
9.0
17.0
2
郑洪雷
天津大学材料科学与工程学院
1
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电子技术
AlN
综述
金属化
厚膜
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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