非极性GaN薄膜及其衬底材料

• 作者: 周健华 周圣明 张荣 徐军 谢自力 邹军 韩平 黄涛华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: r面蓝宝石 γ-LiAlO2 a面GaN m面GaN
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 765-771
• 页数: 7页
• 分类号: O484
• 字数: 5062字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.022

摘要

本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括γ-LiAlO2、r面蓝宝石等.通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高.