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摘要:
实现了一个宽频带VHF频段CMOS VCO.其最大的改进在于将振荡器中交叉耦合MOS管分为并联可开关的若干段.这样使其特性可以在较大范围内补偿VCO调频过程中状态的变化.该VCO使用标准0.18μmCMOS工艺制作,核心版图面积约为550μm×700μm.测试结果表明:该VCO频率覆盖范围为31~111MHz;功耗为0.3~6.9mW;在100kHz频偏处相位噪声约-110dBc/Hz.
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文献信息
篇名 超宽频带VHF频段CMOS LC VCO
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 宽带 压控振荡器 CMOS
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 14-18
页数 5页 分类号 TN432
字数 1174字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王志华 清华大学微电子学研究所 183 1964 21.0 36.0
2 陈弘毅 清华大学微电子学研究所 88 919 19.0 27.0
3 宁彦卿 清华大学微电子学研究所 7 33 3.0 5.0
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压控振荡器
CMOS
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
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1980
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