高频大功率SiGe/Si HBT的设计

• 作者: 姚飞 成步文 王启明 薛春来
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 高频 大功率
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 271-277
• 页数: 7页
• 分类号: TN323.4
• 字数: 5548字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2006.03.014

摘要

详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等.并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	118	735	14.0	20.0
2	成步文	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	41	185	8.0	10.0
3	姚飞	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	16	70	6.0	7.0
4	薛春来	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	24	77	6.0	7.0