AlGaN/GaN HEMT功率放大器设计

• 作者: 冯倩 张进城 林锡贵 郝跃
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率场效应晶体管 功率放大器 ADS负载牵引 共轭匹配
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 设计与开发
• 页码范围: 52-55
• 页数: 4页
• 分类号: TN386|TN722.7+5
• 字数: 2381字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.01.016

摘要

在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下,利用ADS软件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配,成功的设计出AlGaN/GaN HEMT微波功率放大器.为了解决晶体管端口出现负阻的问题,设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法,最后得到理想的结果为:工作绝对稳定,带宽3.6GHz～8.0GHz,最高增益11.04dB,最大输出功率33dBm,最大PAE达到29.2%,电压驻波比较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	52	301	9.0	14.0
3	冯倩	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	35	224	7.0	13.0
4	林锡贵	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	18	2.0	2.0