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负阻负载和复制运放增益增强技术相结合的低电压低功耗高增益端到端输出范围运算放大器
负阻负载和复制运放增益增强技术相结合的低电压低功耗高增益端到端输出范围运算放大器
作者:
刘爱荣
杨华中
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
低电压低功耗
高直流增益
复制运放增益增强技术
负阻负载
摘要:
设计了一种低电压低功耗高增益端到端运算放大器.为了提高运放的直流增益,采用了复制运放增益增强技术,这种技术的特点是在提高增益的同时不影响输出摆幅,非常适合低电压场合.该运放采用0.18μm标准CMOS工艺,工作电压为1V.仿真结果表明,在5pF负载电容下所获得运放的直流增益达到65.9dB,增益带宽积为70.28MHz,相位裕度为50°,静态功耗为156.7μW.
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CMOS
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文献信息
篇名
负阻负载和复制运放增益增强技术相结合的低电压低功耗高增益端到端输出范围运算放大器
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
低电压低功耗
高直流增益
复制运放增益增强技术
负阻负载
年,卷(期)
2006,(12)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
2101-2105
页数
5页
分类号
TN72
字数
1904字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.12.007
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
杨华中
清华大学电子工程系
92
500
13.0
16.0
2
刘爱荣
清华大学电子工程系
3
6
2.0
2.0
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研究主题发展历程
节点文献
低电压低功耗
高直流增益
复制运放增益增强技术
负阻负载
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
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