太阳电池用掺氮直拉单晶硅中氧沉淀行为的研究

• 作者: 席珍强 李勇 杨德仁 钟尧 阙端麟
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉单晶硅 氮 氧沉淀
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 676-678
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.01
• 字数: 2057字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2006.05.011

摘要

利用傅立叶红外光谱仪研究了掺氮直拉单晶硅(NCZ)和普通直拉单晶硅(CZ)的原生氧沉淀以及模拟太阳电池制备热处理工艺下的氧沉淀行为.结果发现,掺氮直拉单晶硅的原生氧沉淀浓度比普通直拉单晶硅的略高,这是因为氮在晶体生长过程中可以促进氧沉淀.但是在模拟太阳电池制备热处理工艺中掺氮直拉单晶硅和普通直拉单晶硅一样,没有氧沉淀产生.这表明在太阳电池的短时间热处理工艺中,氮不会对氧沉淀产生影响,不会影响磷吸杂的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
3	李勇	浙江大学硅材料国家重点实验室	69	560	11.0	22.0
4	席珍强	浙江大学硅材料国家重点实验室	22	539	13.0	22.0
5	钟尧	中国空间技术研究院北京控制工程研究所	2	7	1.0	2.0