BST薄膜的磁增强反应离子刻蚀研究

• 作者: 全祖赐 张柏顺 章天金 郭涛
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 BST薄膜 MERIE 刻蚀速率 表面形貌
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 4102字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.04.004

摘要

分别以CF4/Ar和CF4/Ar/O2作为刻蚀气体,采用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)技术对sol-gel法制备的BST薄膜进行刻蚀.结果表明,刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率呈现非单调特性.当CF4/Ar的气体流量比R(CF4:Ar)为10:40时,刻蚀速率达到极大值.当CF4/Ar/O2的气体流量比R(CF4:Ar:O2)为9:36:5时,刻蚀速率达到最大值,最大刻蚀速率为8.47 nm/min.原子力显微镜(AFM)分析表明,刻蚀后的薄膜表面粗糙度变大.对刻蚀后的薄膜再进行适当的热处理,可以去除部分残留物.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章天金	湖北大学物理学与电子技术学院	82	321	11.0	14.0
2	张柏顺	湖北大学物理学与电子技术学院	24	152	7.0	11.0
3	郭涛	湖北大学物理学与电子技术学院	3	9	2.0	3.0
4	全祖赐	湖北大学物理学与电子技术学院	1	4	1.0	1.0