双面阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析

• 作者: 张波 李肇基 段宝兴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双面阶梯埋氧SOI 电荷积累 表面电场 击穿电压
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 886-891
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3130字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.023

摘要

在单面阶梯埋氧型SOI结构的基础上,提出了一种双面阶梯埋氧SOI新结构.双面阶梯的电荷积累作用使其纵向电场突破了传统上受界面电荷为零限制的3倍关系,埋氧层的电场可以高达200V/μm;而且双面阶梯对表面电场的调制作用使其表面电场达到近乎理想的均匀分布.借助二维MEDICI数值分析软件,验证了此结构具有同时优化横向SOI基高压器件横、纵向电场,提高击穿电压的优点.