InAsP/InGaAsP/InP应变材料的二维倒空间衍射研究

• 作者: 刘成 劳燕锋 吴惠桢 曹萌 黄占超
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: X射线衍射 倒空间mapping 应变 量子阱
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 58-63
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 4187字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.014

摘要

采用X射线衍射三轴二维倒空间衍射图研究了InP(100)衬底上分子束外延生长的压应变InAsP材料和张应变InGaAsP材料.实验测定了两种材料的(004)面、(224)面的倒空间衍射图,得到了处于部分弛豫状态的InGaAsP在不同方向呈现不同的应变状态.排除了外延层倾斜及应变对确定失配度的影响,准确计算得到InAsP外延层体失配度为1.446%,InGaAsP外延层体失配度为-0.5849%,并且生长了高质量的应变补偿8阱多量子阱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘成	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室	56	294	8.0	15.0
2	劳燕锋	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室	24	69	5.0	7.0
3	曹萌	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室	15	61	5.0	7.0
4	吴惠桢	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室	23	87	6.0	7.0
5	黄占超	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室	7	18	3.0	4.0