基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟

• 作者: 段小蓉 王彦刚 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 软击穿 超薄栅氧化层 类渗流导电
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 735-740
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 4345字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.04.030

摘要

研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(soft breakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式--类渗流导电公式.该公式能够在较大的电压范围(-4～+3V)模拟氧化层SBD后的栅电流和衬底电流的电流-电压特性,为超薄栅氧化层可靠性的研究提供了一个较为简便的公式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
3	王彦刚	北京大学微电子学研究所	3	17	2.0	3.0
4	段小蓉	北京大学微电子学研究所	9	26	3.0	5.0