Mg掺杂对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜介电性能的影响

• 作者: 付兴华 侯文萍 陶文宏 韦其红
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸锶钡薄膜 X射线衍射 介频谱 介温谱
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TQ17
• 字数: 2661字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2006.04.005

摘要

用醋酸盐和钛酸四丁酯为原料,采用sol-gel工艺在Pt/TiO/SiO/Si基片上制备了含有Mg元素的Sr0.5Ba0.5-xMgxTiO3薄膜,其退火处理温度为750℃.通过X射线衍射和扫描电镜分析技术研究了薄膜的相结构和形貌.采用美国HP Angilent 4294A阻抗分析仪测试了以Pt为底电极、Ag为上电极的MFM电容器的介电性能.实验结果表明:掺镁Sr05Ba05.xMgxTiO3薄膜较未掺杂的Ba05Sr0.5TiO3薄膜相对介电常数高、介电损耗低.介温谱表明在居里温度附近发生了弥散型相变,且居里温度有向低温方向漂移的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯文萍	济南大学材料科学与工程学院	21	168	7.0	12.0
2	付兴华	济南大学材料科学与工程学院	56	382	10.0	17.0
3	陶文宏	济南大学材料科学与工程学院	45	468	13.0	19.0
4	韦其红	济南大学材料科学与工程学院	7	27	3.0	4.0