底栅微晶硅薄膜晶体管

• 作者: 刘建平 吴春亚 孟志国 张晓丹 张芳 李娟 熊绍珍 赵淑云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微晶硅 底栅薄膜晶体管 起始层 硅烷浓度 晶化体积比
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1246-1250
• 页数: 5页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 2549字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.018

摘要

对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影响.因此为了获得良好的I-V特性,选用的硅烷浓度不宜低于3%.由硅基薄膜晶化体积比与系列沉积工艺条件关系和TFT所得薄膜晶化体积比的对比,可清晰证实SiNx对晶化的促进作用.