钒注入4H-SiC半绝缘特性的研究

• 作者: 张义门 张玉明 王超
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 半绝缘 钒离子注入 退火 激活能
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1396-1400
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1486字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.08.012

摘要

研究了2100keV高能量钒注入4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性,注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行模拟.采用一种台面结构进行I-V测试,发现钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型有很大关系.常温下,钒注入p型和n型4H-SiC的电阻率分别为1.6×1010和7.6×106Ω·cm.测量了不同退火温度下的电阻率,发现高温退火有利于钒的替位激活和提高电阻率,由于钒扩散的影响1700℃退火使得电阻率略有下降.测量了n型SiC钒注入层在20～140℃时的电阻率,计算出钒受主能级在4H-SiC中的激活能为0.78eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	王超	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	43	424	12.0	19.0