非晶锗的低温晶化和光学特性研究

• 作者: 宣艳 杨宇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 锗 溅射功率 低温晶化
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 880-883
• 页数: 4页
• 分类号: O734
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.046

摘要

本文采用直流磁控溅射在(100)硅衬底上沉积了单层锗薄膜,分别用拉曼光谱和X射线衍射研究了薄膜的结晶性,通过对结晶性的研究发现,在衬底温度为200℃时溅射功率为150W时结晶性开始变好,功率增至250W的过程,锗薄膜的择优取向发生(220)向(331)的变化.这样在无金属掺杂的情况下得到了结晶性较好的样品.光致发光结果表明,非晶锗在可见光区有较强的发光现象,发光峰位中心分别在648.1nm和713.0nm.发光峰位不随晶粒尺寸变化而变化,但峰强对晶粒大小的依赖性很强,平均晶粒较大的锗薄膜在可见光区发光现象不显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学材料科学与工程系	101	377	9.0	12.0
2	宣艳	云南大学材料科学与工程系	1	9	1.0	1.0