快中子辐照直拉硅中V2的FTIR研究

• 作者: 徐学文 梁小平 王小会 辛少波
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 直拉硅 快中子辐照 退火 双空位
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 155-157
• 页数: 3页
• 分类号: TQ17
• 字数: 1612字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2006.05.033

摘要

通过傅立叶红外光谱仪(FFIR)技术研究了由快中子辐照直拉硅中引入的辐照缺陷--双空位(V2)退火行为,主要研究了不同中子辐照剂量对双空位的影响.实验结果表明:随辐照剂量的增加双空位缺陷的浓度并不会无限地增加;间隙氧原子很容易与双空位缺陷结合形成比较稳定的空位-氧复合体,当退火温度超过200℃,双空位吸收峰消失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁小平	天津工业大学改性与功能纤维天津市重点实验室	55	281	8.0	15.0
2	王小会	天津工业大学改性与功能纤维天津市重点实验室	4	50	2.0	4.0
3	辛少波	天津工业大学改性与功能纤维天津市重点实验室	6	10	2.0	3.0
4	徐学文	河北工业大学材料学院	5	15	2.0	3.0