P型微晶硅薄膜材料性能的研究

• 作者: 冯凯 孙云 张德贤 王雅欣 蔡宏琨 齐龙茵
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 太阳电池 微晶硅 非晶硅
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 927-930
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 2553字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.005

摘要

本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度(SC)的变化.采用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行了表征.随硅烷浓度的增加,微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率(σd)逐渐增大,光学带隙逐渐降低.当硅烷浓度为2.0%时,硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构.当硅烷浓度为1.5%时,硼的掺杂效率最大,同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙云	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	33	390	11.0	19.0
2	张德贤	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	22	77	5.0	8.0
3	王雅欣	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	3	16	3.0	3.0
4	蔡宏琨	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	13	26	3.0	4.0
5	冯凯	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	5	20	2.0	4.0
6	齐龙茵	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	2	7	1.0	2.0