ITO玻璃衬底上PLZT铁电薄膜的制备与电性能

• 作者: 刘国营 刘祖黎 刘红日 柳擎
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 PLZT铁电薄膜 掺锡氧化铟 sol-gel法 电学性质
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.9
• 字数: 3510字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.02.015

摘要

用sol-gel法在掺Sn的In2O3导电透明膜(ITO)衬底上,制备了La 掺杂的PbZr0.5Ti0.5O3 (PLZT)铁电薄膜.研究了La掺杂量对薄膜的铁电、介电和漏电性质的影响.结果表明,x(La)为5%的PLZT薄膜经650℃退火,有优良的铁电特性, 外加15 V 电压下, 剩余极化强度为35.4×10-6 C/cm2, 矫顽场强为111×103 V/cm.100 kHz 时的εr和tgδ分别为984和0.13.在外加电场小于9 V时,薄膜的漏电流密度不超过10-8 A/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祖黎	华中科技大学物理系	36	485	12.0	21.0
2	刘国营	华中科技大学物理系	29	71	4.0	7.0
4	刘红日	华中科技大学物理系	5	20	3.0	4.0
7	柳擎	华中科技大学物理系	3	12	2.0	3.0