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摘要:
制作了不同结构参数的GaAs MMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16.1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.
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文献信息
篇名 GaAs MMIC用无源元件的模型
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 MMIC 矩形螺旋电感 MIM电容 薄膜电阻 多项式拟合公式
年,卷(期) 2006,(10) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1872-1879
页数 8页 分类号 TN303
字数 3460字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.034
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘新宇 中国科学院微电子研究所 141 717 13.0 18.0
2 吴德馨 中国科学院微电子研究所 58 345 11.0 14.0
3 杨威 中国科学院微电子研究所 60 460 11.0 19.0
4 葛霁 中国科学院微电子研究所 10 72 5.0 8.0
5 严北平 中国科学院微电子研究所 4 39 3.0 4.0
6 申华军 中国科学院微电子研究所 14 68 5.0 8.0
7 王显泰 中国科学院微电子研究所 13 77 5.0 8.0
8 陈延湖 中国科学院微电子研究所 6 54 5.0 6.0
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MIM电容
薄膜电阻
多项式拟合公式
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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