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GaAs MMIC用无源元件的模型
GaAs MMIC用无源元件的模型
作者:
严北平
刘新宇
吴德馨
杨威
王显泰
申华军
葛霁
陈延湖
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
MMIC
矩形螺旋电感
MIM电容
薄膜电阻
多项式拟合公式
摘要:
制作了不同结构参数的GaAs MMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16.1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.
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分析案例
宽带GaAs MMIC功率放大器的设计
宽带
MMIC
功率
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有耗匹配
GaAs MMIC的热生成机制的建模与仿真方法
热生成区
峰值结温
有限元仿真
单片微波集成电路
异质结双极性晶体管
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相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
GaAs MMIC用无源元件的模型
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
MMIC
矩形螺旋电感
MIM电容
薄膜电阻
多项式拟合公式
年,卷(期)
2006,(10)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1872-1879
页数
8页
分类号
TN303
字数
3460字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.034
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘新宇
中国科学院微电子研究所
141
717
13.0
18.0
2
吴德馨
中国科学院微电子研究所
58
345
11.0
14.0
3
杨威
中国科学院微电子研究所
60
460
11.0
19.0
4
葛霁
中国科学院微电子研究所
10
72
5.0
8.0
5
严北平
中国科学院微电子研究所
4
39
3.0
4.0
6
申华军
中国科学院微电子研究所
14
68
5.0
8.0
7
王显泰
中国科学院微电子研究所
13
77
5.0
8.0
8
陈延湖
中国科学院微电子研究所
6
54
5.0
6.0
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引文网络
引文网络
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1974(1)
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二级参考文献(1)
1990(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1992(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
1993(3)
参考文献(0)
二级参考文献(3)
1997(1)
参考文献(0)
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1998(3)
参考文献(0)
二级参考文献(3)
1999(3)
参考文献(2)
二级参考文献(1)
2000(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
2001(3)
参考文献(1)
二级参考文献(2)
2002(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2003(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2004(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2005(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(0)
参考文献(0)
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引证文献(0)
二级引证文献(0)
2007(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
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引证文献(5)
二级引证文献(1)
2009(5)
引证文献(3)
二级引证文献(2)
2010(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
2011(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2012(6)
引证文献(0)
二级引证文献(6)
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2014(5)
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引证文献(2)
二级引证文献(2)
2016(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2017(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2018(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
2019(3)
引证文献(1)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
MMIC
矩形螺旋电感
MIM电容
薄膜电阻
多项式拟合公式
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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