6H-SiC晶片的退火处理

• 作者: 于光伟 姜守振 宁丽娜 徐现刚 李娟 王继杨 王英民 胡小波 蒋民华 陈秀芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 升华法 SiC 退火
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 949-952
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 1997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.010

摘要

本文在背景Ar气压力为8×104Pa、温度为1800～2000℃的条件下,对升华法生长SiC单晶的籽晶进行了原位退火处理,利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H-SiC晶片表面进行了观察,研究了退火温度和时间对晶片表面的影响.发现经过退火处理后的籽晶表面存在规则的生长台阶,有助于侧面生长模式的发展,进一步有助于台阶流生长模式的发展.通过对籽晶的退火处理,降低了螺旋生长中心的密度,从而减少多型夹杂、小角度晶界和微管等缺陷的出现,提高了晶体质量.