基于低温键合技术制备SOI材料

• 作者: 刘卫丽 宋志棠 封松林 詹达 马小波
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 等离子体活化 键合强度
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 189-192
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2392字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.048

摘要

通过N+等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系.研究结果表明退火温度从100℃升高到300℃的过程中,键合强度明显加强;高于300℃,键合强度略有增加,但不明显.结合N+等离子体处理技术和Smart-Cut技术制备出SOI结构,顶层硅缺陷密度表征表明在500℃退火后可得到较好的缺陷密度.该研究结果提供了一种SOI低温技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋志棠	中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心	51	197	8.0	12.0
2	詹达	中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心	1	3	1.0	1.0
6	马小波	中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心	1	3	1.0	1.0
10	刘卫丽	中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心	14	52	4.0	6.0
11	封松林		1	3	1.0	1.0