集成电路过压保护用ZnO压敏电阻的研制

• 作者: 孙兆海 朱传琴 杨志坚 范坤泰
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 低压压敏电阻 晶粒 晶界 Ta2O5
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 55-57
• 页数: 3页
• 分类号: TN379
• 字数: 2086字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.08.019

摘要

为获得集成电路过电压保护用低压压敏电阻,以中压ZnO压敏电阻的配方为基础,通过研究与实验,确定了采用添加晶粒助长剂TiO2和籽晶、晶界稳定剂硼银玻璃和Ta2O5,低温烧结等途径,研制出了低压ZnO压敏电阻.测试结果表明,该ZnO压敏电阻的压敏电压为15～25 V,漏电流小(＜2 μA),非线性特性好(α＞29).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨志坚	山东大学电气工程学院	14	153	8.0	12.0
2	朱传琴		14	27	4.0	5.0
3	范坤泰	山东大学信息科学与工程学院	9	82	5.0	9.0
4	孙兆海		5	18	2.0	4.0