SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究

• 作者: 姚红英 季敏 张笛儿 顾晓 龚新高
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 表面扩散 结合能 金属原子
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6042-6046
• 页数: 5页
• 分类号: TG1
• 字数: 2374字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.078

摘要

采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co,Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In(Ga)的扩散激活能只有0.1-0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚红英	复旦大学物理系	14	36	4.0	5.0
2	顾晓	复旦大学物理系	1	8	1.0	1.0
3	季敏	复旦大学物理系	13	43	4.0	6.0
4	张笛儿	复旦大学物理系	2	28	2.0	2.0
5	龚新高	复旦大学物理系	3	51	3.0	3.0