硅烷浓度对微晶硅太阳电池的影响

• 作者: 孙建 张晓丹 朱锋 赵颖 高艳涛 魏长春
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 甚高频等离子化学气相沉积 微晶硅太阳电池 硅烷浓度
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 514-517
• 页数: 4页
• 分类号: TK511
• 字数: 2343字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.019

摘要

采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响.结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开路电压随硅烷浓度的提高而增加,这些变化来源于有源层材料结构的改变.电池的填充因子几乎不受硅烷浓度的影响,但受前电极的影响很大.不同系列电池转化效率的最高点虽然处于非晶到微晶的过渡区,但对应电池的晶化率不同.另外,研究结果也给出非晶/微晶过渡区随着辉光功率的提高和沉积气压的降低向高硅烷浓度方向转移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙建	南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室	67	311	10.0	14.0
2	张晓丹	南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室	57	247	7.0	14.0
3	魏长春	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	24	126	6.0	10.0
4	高艳涛	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	4	34	3.0	4.0