SOI反偏肖特基势垒动态阈值MOS特性

• 作者: 毕津顺 海潮和
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 动态阈值 肖特基势垒
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1526-1530
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 955字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.002

摘要

将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开启,工作电压应当低于0.7V.而采用反偏肖特基势垒结构,DTMOS的工作电压可以拓展到0.7V以上.实验结果显示,室温下采用反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构,阈值电压可以动态减小200mV.反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构相比于传统模式,显示出优秀的亚阈值特性和电流驱动能力.另外,对浮体SOI器件、传统模式SOI器件和反偏肖特基势垒SOI DTMOS的关态击穿特性进行了比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	毕津顺	中国科学院微电子研究所	37	78	5.0	6.0