极化电场对AlxGa1-xN/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质的影响

• 作者: 张国义 徐柯 杨志坚 沈波 许福军 雷双英
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlxGa1-xN/GaN双量子阱 子带间跃迁 极化场不连续
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 403-408
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2415字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.004

摘要

用自洽计算的方法研究了极化电场对AlxGa1-xN/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质和电子分布的影响.发现极化场会导致电压降的出现,从而使得结构对称的AlxGa1-xN/GaN双量子阱具有不对称的导带和价带.极化效应还会使奇数序和偶数序的子带之间发生很大的Stark平移,从而使第一奇数序和第二偶数序子带之间的跃迁波长变短,这将有利于实现工作在通信窗口的光电子器件.同时,由于导带分布的不对称性,电子分布也不对称,从而会影响吸收系数.