fT为77GHz的蓝宝石衬底0.25μm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率功率器件

• 作者: 刘新宇 刘果果 吴德馨 和致经 郑英奎
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 蓝宝石 HEMT
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 963-965
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 904字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.002

摘要

在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨导为250mS/mm,特征频率为77GHz.功率器件的最大电流密度达到1.07A/mm.8GHz频率下在片测试80×10μm栅宽器件的输出功率为27.04dBm,同时功率附加效率达到26.5%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
4	刘果果	中国科学院微电子研究所	12	56	4.0	7.0
5	郑英奎	中国科学院微电子研究所	15	43	4.0	6.0