BST薄膜的反应离子刻蚀研究

• 作者: 史鹏 姚熹
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸锶钡(BST) 薄膜 反应离子刻蚀 CHF3
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 64-66
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 2582字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2006.01.021

摘要

钙钛矿结构的钛酸锶钡(BST)薄膜作为优良的介电、铁电材料在新一代的微机械系统(MEMS)、动态存储器(DRAM)及其他器件上的广泛应用,使得BST薄膜的刻蚀特性越来越重要.该文利用反应离子刻蚀装置,研究了溶胶-凝胶工艺制备的钛酸锶钡薄膜在CHF3/Ar等离子气体中的刻蚀情况.通过分析刻蚀速率及薄膜刻蚀前后表面形貌的变化,结果表明,刻蚀过程是离子轰击、离子辅助化学反应和化学反应刻蚀共同作用的结果.刻蚀速率为5.1 nm/min.Sr元素较难去除,成为阻碍刻蚀的重要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚熹	西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室	172	1611	18.0	30.0
2	史鹏	西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室	5	20	2.0	4.0