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摘要:
采用直流磁控反应溅射法制备了高温压力传感器用的AlN薄膜.用X射线衍射对薄膜的晶向结构进行了分析,研究了薄膜的绝缘特性和化学稳定性,分析了AlN与Si的热膨胀系数、热导系数的关系.选用AlN在力敏电阻条和硅弹性膜之间进行绝缘隔离,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,得到了极好的压力传感器特性,即零点电漂移及热漂移小及非线性小.
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文献信息
篇名 用于高温压力传感器的AlN绝缘膜的研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 氮化铝薄膜 高温压力传感器 直流磁控反应溅射
年,卷(期) 2006,(10) 所属期刊栏目 支撑技术
研究方向 页码范围 778-781
页数 4页 分类号 TN3
字数 2433字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.10.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙以材 河北工业大学信息工程学院 117 1247 18.0 31.0
2 李辉 河北工业大学信息工程学院 46 263 10.0 14.0
3 潘国锋 河北工业大学信息工程学院 11 64 5.0 7.0
4 邱美艳 河北工业大学信息工程学院 5 43 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
氮化铝薄膜
高温压力传感器
直流磁控反应溅射
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研究分支
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期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
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18-65
1976
chi
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