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正电子湮没多普勒谱中的3γ/2γ分析
正电子湮没多普勒谱中的3γ/2γ分析
作者:
周春兰
张天保
曹兴忠
王宝义
章志明
马创新
魏龙
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
慢正电子束流
孔隙
电子偶素
介孔材料
薄膜
摘要:
在慢正电子束研究表面的实验中,一般仍使用高纯Ge γ谱仪测量正电子湮没多普勒展宽能谱,对能谱的分析采用线形参数S,W,这些参数提供的信息有限.例如,当电子与正电子在材料中形成电子偶素时,简单的线形参数非但不能表征它们,反而因它们的存在使得分析变得复杂.本工作在对多普勒展宽能谱进行数据处理的过程中,引入正态电子偶素自衰变强度I3γ参数,建立了从能谱中获得I3γ参数值的方法.以标准样品为基准,选用Ag盖帽的气凝硅胶进行I3γ参数计算,工作表明新参数对研究介孔材料及纳米薄膜能提供更丰富的信息.
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内容分析
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(/次)
(/年)
文献信息
篇名
正电子湮没多普勒谱中的3γ/2γ分析
来源期刊
高能物理与核物理
学科
物理学
关键词
慢正电子束流
孔隙
电子偶素
介孔材料
薄膜
年,卷(期)
2006,(1)
所属期刊栏目
同步辐射,自由电子激光,核技术应用等
研究方向
页码范围
84-87
页数
4页
分类号
O57
字数
3042字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0254-3052.2006.01.020
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王宝义
中国科学院高能物理研究所核分析室
69
258
9.0
12.0
2
魏龙
中国科学院高能物理研究所核分析室
50
325
10.0
16.0
3
张天保
中国科学院高能物理研究所核分析室
6
16
2.0
3.0
4
章志明
中国科学院高能物理研究所核分析室
7
18
3.0
4.0
5
马创新
中国科学院高能物理研究所核分析室
11
27
3.0
4.0
6
周春兰
中国科学院高能物理研究所核分析室
19
245
8.0
15.0
7
曹兴忠
中国科学院高能物理研究所核分析室
19
31
3.0
4.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(0)
节点文献
引证文献
(0)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
2006(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
慢正电子束流
孔隙
电子偶素
介孔材料
薄膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高能物理与核物理
主办单位:
出版周期:
月刊
ISSN:
CN:
开本:
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
语种:
chi
出版文献量(篇)
2219
总下载数(次)
0
总被引数(次)
4790
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