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摘要:
在慢正电子束研究表面的实验中,一般仍使用高纯Ge γ谱仪测量正电子湮没多普勒展宽能谱,对能谱的分析采用线形参数S,W,这些参数提供的信息有限.例如,当电子与正电子在材料中形成电子偶素时,简单的线形参数非但不能表征它们,反而因它们的存在使得分析变得复杂.本工作在对多普勒展宽能谱进行数据处理的过程中,引入正态电子偶素自衰变强度I3γ参数,建立了从能谱中获得I3γ参数值的方法.以标准样品为基准,选用Ag盖帽的气凝硅胶进行I3γ参数计算,工作表明新参数对研究介孔材料及纳米薄膜能提供更丰富的信息.
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文献信息
篇名 正电子湮没多普勒谱中的3γ/2γ分析
来源期刊 高能物理与核物理 学科 物理学
关键词 慢正电子束流 孔隙 电子偶素 介孔材料 薄膜
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目 同步辐射,自由电子激光,核技术应用等
研究方向 页码范围 84-87
页数 4页 分类号 O57
字数 3042字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0254-3052.2006.01.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王宝义 中国科学院高能物理研究所核分析室 69 258 9.0 12.0
2 魏龙 中国科学院高能物理研究所核分析室 50 325 10.0 16.0
3 张天保 中国科学院高能物理研究所核分析室 6 16 2.0 3.0
4 章志明 中国科学院高能物理研究所核分析室 7 18 3.0 4.0
5 马创新 中国科学院高能物理研究所核分析室 11 27 3.0 4.0
6 周春兰 中国科学院高能物理研究所核分析室 19 245 8.0 15.0
7 曹兴忠 中国科学院高能物理研究所核分析室 19 31 3.0 4.0
传播情况
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2006(0)
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研究主题发展历程
节点文献
慢正电子束流
孔隙
电子偶素
介孔材料
薄膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高能物理与核物理
月刊
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出版文献量(篇)
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总被引数(次)
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