电压应力下超薄栅氧化层 n-MOSFET的击穿特性

• 作者: 周鹏举 曹艳荣 郝跃 陈海峰 马晓华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超薄栅氧化层 斜坡电压 经时击穿 渗透
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 6118-6122
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3350字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.091

摘要

研究了90nm工艺下栅氧化层厚度为1.4nm的n-MOSFET的击穿特性,包括V-ramp(斜坡电压)应力下器件栅电流模型和CVS(恒定电压应力)下的TDDB(经时击穿)特性,分析了电压应力下器件的失效和退化机理.发现器件的栅电流不是由单一的隧穿引起,同时还有电子的翻越和渗透.在电压应力下,SiO2中形成的缺陷不仅降低了SiO2的势垒高度,而且等效减小了SiO2的厚度(势垒宽度).另外,每一个缺陷都会形成一个导电通道,这些导电通道的形成增大了栅电流,导致器件性能的退化,同时栅击穿时间变长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	陈海峰	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	8	32	4.0	5.0
3	马晓华	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	40	140	7.0	8.0
4	曹艳荣	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	11	41	5.0	6.0
5	周鹏举	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	16	3.0	3.0