高压集成电路中的HV MOS晶体管BSIM3 I-V模型改进

• 作者: 任铮 朱骏 石艳玲 胡少坚 赵宇航 金蒙 陈寿面
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: BSIM3模型 SPICE HV MOS晶体管 参数提取 曲线拟合
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1073-1077
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3133字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.025

摘要

针对SPICE BSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HV MOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I-V模型改进.研究中使用Agilent ICCAP测量系统对HVMOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻R ds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了R ds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vas参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3 I-V模型模拟HV MOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石艳玲	华东师范大学信息科学技术学院电子科学技术系	47	205	8.0	12.0
3	任铮	华东师范大学信息科学技术学院电子科学技术系	7	19	3.0	4.0
7	胡少坚		12	22	3.0	4.0
8	金蒙	华东师范大学信息科学技术学院电子科学技术系	3	13	3.0	3.0
11	朱骏		3	4	1.0	2.0
12	陈寿面		5	10	2.0	3.0