Ga3+:KTP晶体c向电导率的研究

• 作者: 常新安 张书峰 肖卫强 臧和贵 陈学安
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ga3+:KTP晶体 分配系数 c向电导率
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 378-380
• 页数: 3页
• 分类号: O738
• 字数: 2181字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.039

摘要

采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较.结果发现,Ga3+:KTP晶体c向电导率比纯KTP晶体c向电导率在交流情况下最大降低了两个数量级以上.文中对晶体c向电导率的降低机理进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常新安	北京工业大学材料科学与工程学院	52	425	11.0	18.0
2	臧和贵	北京工业大学材料科学与工程学院	32	204	8.0	12.0
3	肖卫强	北京工业大学材料科学与工程学院	47	227	7.0	12.0
4	陈学安	北京工业大学材料科学与工程学院	26	98	6.0	8.0
5	张书峰	北京工业大学材料科学与工程学院	2	7	2.0	2.0