GaAs混频二极管的设计和制作

• 作者: 林顺兵 韩钧
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 混频二极管 噪声系数
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 774-777
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2495字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.10.015

摘要

GaAs混频二极管是制作混频器的关键器件,从GaAs混频二极管的工作原理出发简述了其参数设计和典型制作工艺.介绍了GaAs混频二极管的主要性能:击穿电压VBR≥4 V,零偏压结电容0.1～0.15 pF,串联电阻Rs≤3Ω,整机噪声系数NF≤5.3 dB.并给出了在8～18 GHz混频器中的使用结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩钧		4	11	2.0	3.0
2	林顺兵		1	0	0.0	0.0