先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响

• 作者: 何玉娟 刘远 师谦 恩云飞 李斌
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射效应 总剂量 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进工艺技术)
• 页码范围: 738-742,746
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 字数: 3869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.10.005

摘要

器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变.亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面.综述了上述条件、高k介质/硅系统以及选择SOI材料作为衬底材料对MOS器件总剂量辐射效应的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学微电子研究所	128	542	12.0	17.0
2	何玉娟	华南理工大学微电子研究所	3	41	3.0	3.0