微腔中nc-Si/SiN超晶格的光致发光

• 作者: 刘艳松 岑展鸿 徐骏 李伟 钱波 陈三 陈坤基 韩培高 马忠元 黄信凡
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微腔 光子晶体 光致发光
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 992字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.006

摘要

研究了一维光子晶体微腔结构对nc-Si/a-SiNz超晶格发射的调制.一维光子晶体微腔采用两种具有不同折射率的非化学组分非晶氮化硅的周期调制结构,腔中嵌入采用激光晶化方法制备的硅量子点阵列,从Raman谱和透射电子显微镜分析得到其尺寸约为3～4 nm.从光致发光谱上观察到明显的选模作用、明显变窄的发光峰以及约两个量级的发光强度的增强.微腔对硅量子点阵列发光的调制主要表现在两个方面:共振模式的增强和非共振模式的抑制.硅量子点中位于腔共振模式的辐射跃迁被增强,非共振模式的辐射跃迁被抑制,因此位于腔共振频率处的跃迁通道成为硅量子点中唯一的辐射跃迁通道,导致光致发光谱的窄化和强度的增强.因此,在提高硅材料发光效率方面,光子晶体微腔具有非常大的应用前景.