半导体硅表面化学镀铜

• 作者: 张远明 王勇 陈云飞
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 N 型硅 化学镀铜 再活化剂 沉积速率 表面形貌 接触电阻
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 工艺开发
• 页码范围: 5-7
• 页数: 3页
• 分类号: TG174.44|TG178
• 字数: 2735字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-227X.2006.02.002

摘要

介绍了以次磷酸钠为还原剂、硫酸镍为再活化剂的半导体N型硅表面化学镀铜工艺及其前处理.探讨了镀液中铜盐含量、还原剂含量、pH及温度对沉积速率的影响.确定了化学镀铜最佳工艺条件:0.15 mol/L CuSO4 · 5H2O,0.03 mol/L NiSO4 · 6H2O ,0.75 mol/L NaH2PO2 · H2O ,0.08 mol/L Na3C6H5O7 · H2O,0.5 mol/L H3BO3 ,<0.2 mg/L硫脲,60～65 ℃,pH 12.0～12.5.采用扫描电镜及能谱仪分别对镀覆30 min及40 min制得的2种镀层表面形貌及成分进行了分析与比较.结果表明,镀覆30 min镀层组织较为致密,而镀覆40 min的镀层组织较粗糙;随镀覆时间的延长,镀层中铜含量明显提高.该镀层接触电阻基本能满足微制冷器的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张远明	东南大学机械工程系	19	98	6.0	8.0
2	陈云飞	东南大学机械工程系	64	250	9.0	12.0
3	王勇	东南大学机械工程系	38	394	9.0	19.0