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摘要:
集成电路的设计与优化常需要指标与参数简单、直接的模型,即电路的元模型.本文将试验设计与计算机仿真相结合构造集成电路的元模型.讨论了构造元模型中使用的4种试验设计类型与3种模型.结合低功耗集成运算放大器性能指标静态功耗元模型的构造,分析比较了不同方法的各自特点.从结果可以看出,将拉丁超立方抽样与Kriging模型相结合最适合仿真试验中的电路元模型的构造.
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文献信息
篇名 试验设计与仿真相结合构造集成电路元模型的方法研究
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 集成电路元模型 试验设计 拉丁超立方抽样 Kriging模型
年,卷(期) 2006,(6) 所属期刊栏目 科研通信
研究方向 页码范围 1159-1162
页数 4页 分类号 TN402
字数 3453字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.2006.06.039
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 游海龙 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 21 187 8.0 13.0
2 贾新章 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 63 572 14.0 20.0
3 张小波 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 7 81 5.0 7.0
4 董萍 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 5 21 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路元模型
试验设计
拉丁超立方抽样
Kriging模型
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研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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0372-2112
11-2087/TN
大16开
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2-891
1962
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