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摘要:
采用动力学蒙特卡罗方法,对在完整光滑界面上低过饱和度溶液中的晶体生长机制和动态过程进行计算机模拟,得到了晶体生长速率与溶液过饱和度之间的关系以及晶体生长的表面形态.对以二维成核为主要生长机制的动力学生长规律进行分析,发现了二维成核生长的生长死区以及单核生长转变为多核生长时的过饱和度临界值,讨论了热粗糙度、表面扩散、台阶平均高度以及表面尺寸对晶体平均生长速率的影响.
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文献信息
篇名 晶体生长机制和生长动力学的蒙特卡罗模拟研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 蒙特卡罗模拟 生长机制 晶体表面形态 晶体生长动力学
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 24-31
页数 8页 分类号 O361
字数 5779字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.006
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研究主题发展历程
节点文献
蒙特卡罗模拟
生长机制
晶体表面形态
晶体生长动力学
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
相关基金
教育部科学技术研究项目
英文译名:Key Project of Chinese Ministry of Education
官方网址:http://www.dost.moe.edu.cn
项目类型:教育部科学技术研究重点项目
学科类型:
论文1v1指导