NiSi/Si界面的剖面透射电镜研究

• 作者: 屈新萍 李炳宗 茹国平 蒋玉龙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 接触界面 NiSi 镍硅化物 固相反应 快速热处理
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 223-228
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.005

摘要

采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖面透射电镜(XTEM)对样品的NiSi/Si界面进行了研究.在未掺杂和掺杂(包括As和B)的硅衬底上通过物理溅射淀积Ni薄膜,经快速热处理过程(RTP)完成硅化反应.X射线衍射和喇曼散射谱分析表明在各种样品中都形成了NiSi.还研究了硅衬底掺杂和退火过程对NiSi/Si界面的影响.研究表明:使用一步RTP形成NiSi的硅化工艺,在未掺杂和掺As的硅衬底上,NiSi/Si界面较粗糙;而使用两步RTP形成NiSi所对应的NiSi/Si界面要比一步RTP的平坦得多.高分辨率XTEM分析表明,在所有样品中都形成了沿衬底硅〈111〉方向的轴延-NiSi薄膜中的一些特定晶面与衬底硅中的(111)面对准生长.同时讨论了轴延中的晶面失配问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	茹国平	复旦大学微电子学系	21	95	5.0	9.0
2	屈新萍	复旦大学微电子学系	19	84	5.0	8.0
3	李炳宗	复旦大学微电子学系	21	90	5.0	9.0
4	蒋玉龙	复旦大学微电子学系	10	35	3.0	5.0