导通电阻全球最小!罗姆06年内将供应SiC功率MOSFET样品

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 导通电阻 SIC 最小 全球 样品 供应 马达驱动电路 工业设备 混合动力车
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 25
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

罗姆公司（ROHM）日前开发出了采用导通电阻降至约为原来一半的SiC的功率MOSFET。将于2006年内供应工业样品。耐电压900V，导通电阻为3．1mΩ·cm^2。在SiC MOSFET中，导通电阻为全球最小，只有耐电压相同、采用硅的DMOS的约1／80或IGBT的约1／6。主要面向工业设备及混合动力车的马达驱动电路及电源电路等。