曲折形三层等宽FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB多层膜巨磁阻抗效应研究

• 作者: 丁文 余先育 周勇 周志敏 商干兵 曹莹 高孝裕
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子技术 巨磁阻抗效应 三层等宽结构FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB薄膜 微细加工技术
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4+3
• 字数: 2788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.01.008

摘要

采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB多层膜.在1～40 MHz下,研究了多层膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系.结果表明:在频率为5 MHz、磁场强度为12 kA/m下,横向和纵向GMI效应分别达-23.5%和-16.8%.薄膜材料的纵向、横向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后降,而纵向表现尤为明显.