ZnO:Al透明导电薄膜的制备及其特性分析

• 作者: 刘维峰 徐艺滨 杜国同 杨天鹏 王新胜
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 透明导电薄膜 AZO膜
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 569-572
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2527字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.031

摘要

采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出c轴择优取向的ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,靶材为AZO(2%质量分数Al2O3)陶瓷靶.对在不同溅射功率下沉积出来的薄膜运用X射线衍射(XRD)、可见光区透射谱、四探针方法分别进行结构和光电特性的表征.得出在200W下沉积的膜性能最好,可见光区平均透过率达到89%以上,电阻率最低为9.3×10-4Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜国同	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	41	204	8.0	13.0
5	刘维峰	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	8	100	6.0	8.0
6	杨天鹏	吉林大学集成光电子学国家重点实验室	3	52	2.0	3.0
7	徐艺滨	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	3	52	2.0	3.0
8	王新胜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	3	52	2.0	3.0